性能的提升主要還是在讀響應(yīng)時(shí)間和讀寫IOPS上,尤其是讀響應(yīng)時(shí)間,通??煽s短至1MS,甚至0.5MS左右,而傳統(tǒng)核心高端存儲(chǔ)如果沒(méi)有配置SSD盤或者SSD加速卡(利用EASYTIER等技術(shù)提升熱點(diǎn)數(shù)據(jù)性能),也需要5MS左右的響應(yīng)時(shí)間,至于IOPS的提升的話,通常靠的是物理硬盤的盤的數(shù)量來(lái)提升讀寫IOPS性能,數(shù)據(jù)LUN盡量分散于多個(gè)陣列上多塊盤上,這樣利用每塊盤的可支持的IOPS來(lái)疊加起最大可支持的IOPS。比如一塊SAS盤最大的IOPS為200,一個(gè)ARRAY有7塊盤做RAID5,數(shù)據(jù)分散于N個(gè)ARRAY上,這樣最大可支持的IOPS為200 X 6 X N,可見(jiàn)IOPS是很有限的。而閃存不一樣,每個(gè)閃存陣列有多個(gè)盤,每個(gè)盤有多塊板卡,板卡中又有N個(gè)芯片,每個(gè)芯片中又有多個(gè)閃存模塊等,所以相比物理硬盤的話,芯片級(jí)別的閃存可提供更為強(qiáng)大的IOPS。